IGBT

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

技术简介

IGBT是一种新型电力半导体器件的平台性器件,具有高输入阻抗,低导通压降,驱动电路简单,开关速度快,电流密度大等优点。

中芯集成电路制造(绍兴)有限公司是中芯国际的合资公司。IGBT平台从2015年开始建立,着眼于最新一代场截止型(Field Stop)IGBT结构,采用业界最先进及主流的背面加工工艺,包括Taiko背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等。已完成整套深沟槽(Deep Trench)+薄片(Thin Wafer)+场截止(Field-Stop)技术工艺的自主研发,并相应推出600V~1200V等器件工艺,技术参数可达到业界领先水平。

特点

应用产品

可广泛应用于工业变频、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业。

  • 工业变频

  • 白色家电

  • 轨道交通

  • 电动汽车

  • 智能电网

  • 电力发电

  • 太阳能

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  • 中芯国际宣传册

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