65纳米/55纳米

65纳米/55纳米

技术简介

中芯国际65纳米/55纳米逻辑技术具有高性能,节能的优势,可以增加先进技术成本的优化及设计成功的可能性。此65纳米/55纳米技术的工艺元件选择包含低漏电和超低功耗技术平台。此两种技术平台都提供三种阈值电压的元件以及输入/输出电压为1.8V,2.5V和3.3V的元件,而形成一个弹性的制程设计平台。此技术的设计规则、规格及SPICE模型已完备。55纳米低漏电/超低功耗技术和65纳米低漏电技术重要的单元库已完备。

特点

工艺组件选择

 

标准工艺组件选择

55 纳米低漏电器件

65 纳米低漏电器件

核心器件

(1.2V)

高阈值电压

标准阈值电压

低阈值电压

输入输出器件

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超载 3.3V

2.5V 低载 1.8V

 

内存

单端高密度静态内存

单端高性能静态内存

双端高密度静态内存

双端高性能静态内存

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

应用产品

中芯国际55纳米逻辑产品主要面向高性能、低功耗的应用场景,如移动应用和无线应用。

  • 移动应用

  • 无线应用

65纳米/55纳米无线连接知识产权组合

  • 01

    中芯国际65纳米/55纳米射频/物联网的知识产权组合能够支持无线局域网、全球定位系统、蓝牙、近距离无线通讯和ZigBee有关的产品应用。

  • 02

    特别是已有的嵌入式闪存和射频技术,使中芯国际55纳米无线解决方案能很好的符合与物联网有关的无线连接需求。

  • Wi-Fi / GPS

  • Bluetooth / NFC / ZigBee

资料下载

  • 中芯国际宣传册

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