中芯國際開發出面積更小功能更大的0.35微米可讀寫記憶體的非接觸性智慧卡技術
中國,上海 [2004-06-08] (中國,上海,2004年6月8日)中芯國際積體電路製造有限公司(以下簡稱中芯國際,紐約證券交易所:SMI,香港聯合證券交易所:981)今日宣佈已經成功開發基於0.35微米可讀寫記憶體的非接觸性智慧卡技術。這項技術的特色是可有效縮小非接觸性智慧卡的晶片面積最多達百分之五十。 歸功於最近開發出的高壓P溝道MOS場效應電晶體和金屬-絕緣體-金屬電容 (MIM capacitors),使這個新制程技術可以使智慧卡晶片面積更小,功能更強大。該新技術的應用廣泛,包括可接觸和非接觸的智慧卡,如交通卡,身分證,銀行卡等。 中芯的客戶中已經有數家成功的運用這一非接觸性智慧卡技術生產出合格產品。 “從市場規模及可預期的各種應用來看,尤其是對於中國市場,這是一個具有重大意義的關鍵技術。 ...