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中芯二零零四年第三季業績報告

上海 [2004-10-28] 香港聯合交易所有限公司對本公佈之內容概不負責，對其準確性或完整性亦不發表任何聲明，?彰魅繁硎靖挪瘓鴕蟣竟?布全部或任何部份內容而產生或因倚賴該等內容而引致之任何損失承擔任何責任。 SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL CORPORATION 中芯國際集成電路制造有限公司 * （于開曼群島註冊成立之有限公司）（股份代號：0981）中芯截至二零零四年九月三十日止三個月業績公佈本公司謹於今日公佈截至二零零四年九月三十日止三個月的未經審核經營業績。 ‧銷售額由上季的221,000,000元增至二零零四年第三季的274,900,000元，增幅24.4%。 ‧經營溢利由上季的36,400,000元增至二 ...

芯原為凱明3G TD-SCDMA晶片提供後端設計服務,使用中芯國際0.18微米工藝制程一次流片成功

上海 [2004-12-08] (上海，中國，2004年12月8日)　由凱明資訊（凱明）開發的3G TD-SCDMA晶片，使用中芯國際半導體製造（上海）有限公司（中芯國際）0.18微米工藝制程一次流片成功。凱明完成了前端系統和電路設計及驗證，由芯原微電子（芯原）提供中芯國際0.18微米單元庫和後端設計服務。該專案於2004年4月啟動，樣品于同年8月面市，目前已通過產品樣片測試和系統測試並試產。這一專用晶片首次實現了中國3G標準核心晶片在國內進行自主設計、自行加工製造與測試。凱明在2004年北京國際通信展暨TD-SCDMA產業峰會上宣佈其擁有自主知識產權的TD-SCDMA終端晶片組完整解決方案，並且展示了由其客戶設計的基於凱明技術的終端樣機並進行通話演示。TD-SCDMA產業聯盟主席、凱明董事長陶雄強博士表示：“ ...

中芯國際更新二零零四年第四季指引

上海 [2004-12-22] 上海二零零四年十二月二十二日，中芯國際積體電路製造有限公司（紐約交易所：SMI；香港聯交所：0981.HK）（簡稱“中芯”）今天公佈二零零四年第四季度的經營狀況更新。原來的第四季度展望已於二零零四年十月二十八日的第三季度的業績公佈中披露，可於www.smics.com網站查詢。中芯晶圓付運預期季度增長約15%，增長幅度在原季度指引的範圍內。預計綜合ASP下降幅度將比原季度指引的下限再降低約1%-2%。在原季度指引中，毛利率預計與二零零四年第三季保持在同一水準。根據最新的估計，第四季度的毛利率與上季相比將下降約6%，主要由於動態隨機記憶體ASP隨市場預期價值不斷下滑以及存貨市場價值的調整。經營開支相對銷售的百分比（不包括匯兌收益或損失）預計約為18%， ...

中芯國際與爾必達建立晶片代工合作關係

上海 [2003-01-06] 新聞稿 (上海訊)中芯國際製造有限公司與日本DRAM大廠爾必達公司(Elpida)於十二月二十七日簽署一份為期五年的晶片代工協定，根據協定，在初期合作計畫中，爾必達將把該公司的0.13微米的堆迭式(Stacked)DRAM交給中芯國際位於上海的八?汲?生產，而中芯國際將自2003年內起，為爾必達代工生產。中芯國際表示，這次的合作，促進了日本半導體廠商與中國的晶圓代工廠商的合作關係，這種合作模式，有效結合日本在技術、產品和設計上的優勢，與中國的製造業優勢，形成最佳的晶片製造代工合作夥伴，為雙方創造雙贏的機會。中芯國際到目前為止，已經與多家日本半導體大廠建立合作夥伴關係，包括東芝(Toshiba)、富士通(Fujitsu)、以及爾必達(Elpida)等。中芯國際表示， ...

採用Artisan Components公司通用設計平臺，中芯國際向全球客戶提供先進的0.18微米工藝

上海 [2003-01-28] SUNNYVALE, 加利福尼亞和中國上海――2003年1月27日―― Artisan Components 有限公司（納斯達克：ARTI），全球知名半導體IP資料庫的提供商和中芯國際積體電路製造有限公司(SMIC)，中國大陸第一家先進的開放式晶片代工廠，今天正式宣佈簽訂合作協定，Artisan將提供針對中芯國際0.18微米CMOS工藝為基礎的設計平臺。這將拓展中芯國際潛在的客戶群，擴大其國際影響，從而進一步推進公司的代工策略。採用Artisan這一通用的設計平臺，中芯國際可以接觸到眾多使用Artisan IP設計方案的客戶。根據該協定，Artisan將提供以中芯國際0.18微米設計規則及採用中芯國際電子模型工藝為基礎的標準記憶體發生器(memory generator)、標準單元(stan ...

英飛淩與中芯國際擴展代工協議

上海 [2003-03-27] 英飛淩與中芯國際擴展代工協議（慕尼克/上海 2003年3月27日）德國晶片廠商英飛淩（股票標識：IFX）進一步向中國市場邁進。英飛淩與中芯國際積體電路製造（上海）有限公司（SMIC）今天正式宣佈雙方簽訂協議，進一步合作生產標準記憶體晶片（DRAM）。根據協定，英飛淩將向中芯國際轉移0.11微米的DRAM溝槽技術和300mm產品的專有技術。該技術將用於專為英飛淩製造產品。這一新的舉措將提升英飛淩的整體產能，中芯國際目前正在北京興建的300mm的生產廠，將為英飛淩提供每月約15,000片以上的產能。2002年12 月，兩家公司簽訂了有關轉移0.14微米DRAM溝槽技術的協議，中芯國際將於上海的200mm廠房使用英飛淩的技術專為英飛淩生產晶片。隨著中芯國際北京廠進程的推進，原先20,00 ...

MOSYS在中芯國際0.18微米標準邏輯工藝中進行1T-SRAM記憶體的硅驗證

上海 [2003-05-20] （中國上海訊,2003年5月20日）業界領先的高密度SoC 植入記憶體解決方案提供商MoSys (納斯達克股票標識：MOSY)和中國第一家先進的半導體代工廠中芯國際積體電路製造有限公司（中芯國際）共同宣佈，MoSys在中芯國際的0.18微米標準邏輯工藝中，已完成1T-SRAM記憶體技術的矽驗證。該製造里程碑的奠定，使中芯國際客戶可以更有信心地選擇MoSys的1T-SRAM技術，以滿足他們對系統級晶片（SoC）設計的存儲要求。 “中芯國際對MoSys的1T-SRAM記憶體的矽驗證，可以使我們的客戶採用植入存儲技術，而且該技術已經成功地通過了製造測試。這將減小設計風險，提高複雜的SoC設計能力”，中芯國際市場及行銷中心副總裁宋建邁說，“我們與MoSys的合作，為客戶 ...

VIRAGE LOGIC與中芯國際簽訂IP授權協定，目標瞄準中國市場

Shanghai [2003-07-25] VIRAGE LOGIC與中芯國際簽訂IP授權協定，目標瞄準中國市場優化中芯國際0.18微米工藝的半導體IP平臺 (中國上海訊，2003年7月25日)――Virage Logic（納斯達克股票標識：VIRL），業界領先的半導體IP平臺提供商和中芯國際積體電路製造有限公司（中芯國際），今天宣佈雙方簽訂授權協議，中芯國際先進的0.18微米CMOS工藝將採用Virage Logic的技術優化半導體IP平臺。該協定的簽訂，使中芯國際的客戶可以使用Virage Logic的技術優化IP平臺，用於高容量、高密度和高性能的複雜和主流的系統級晶片的設計。 “作為世界上領先的半導體IP公司之一，Virage Logic 的矽驗證過的技術優化平臺為客戶提供了可靠及可生產的IP庫，從而 ...

中芯國際以私募方式集資約6.3億美元

Shanghai [2003-09-15] (中國,上海十三日訊)中芯國際積體電路製造有限公司十三日宣佈該公司已經順利完成最新一輪融資，以私募方式發行新股集資約6.3億美元。新一輪投資者除了包括原有股東如上海實業，漢鼎亞太，華登國際，Temasek，以及以祥峰投資管理集團為首的新加坡集團之外，還包括新的投資者如美國著名的創投公司New Enterprise Associates (NEA)，Oak Investment Partners，以及北大微電子(香港)，和其他策略投資人等。中芯國際目前位於上海的三個八寸晶片廠每月產量超過四萬片，新募集的資金將用於上海三個廠的產能擴充，以及建設北京的十二?汲А? 中芯國際概述中芯國際作為中國最先進的晶片代工廠，提供工藝技術為0.35微米，0.25微米，0.18微米和0.1 ...

芯原發佈針對中芯國際0.15微米(G/LV)工藝技術的標準單元庫

Shanghai [2003-10-10] （中國上海訊，2003年10月10日）業界領先的系統級晶片智慧模組供應商芯原微電子，今天正式發佈針對中芯國際積體電路製造有限公司（中芯國際）0.15微米一般性和低壓CMOS工藝的標準設計平臺。該標準平臺包括標準單元庫（standard cell library），輸入/輸出單元庫（I/O cell library）和單/雙口靜態記憶體（single port and dual port SRAM）的記憶體編譯器，單/雙口寄存檔記憶體（register file）以及擴散可編程唯讀記憶體（diffusion programmable ROM）。該標準設計平臺採用最新的電子模型，為中芯國際0.15微米（G/LV）工藝技術量身定制的。該平臺已經通過中芯國際多專案矽片原型服務（MPW）得 ...

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