上海 [2010-07-22]
伙伴关系将为中芯国际更多的制作工艺提供具高度差异的系统级芯片IP
[美国加利福尼亚州弗里蒙特和中国上海] –2010年7月22日–备受半导体产业信赖的IP供应商Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL)和中国最先进的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司（中芯国际，纽约证券交易所交易代码：SMI，香港联交所交易代码：0981.HK）今天宣布其长期合作伙伴关系扩展到40纳米（nanometer）的低漏电（low-leakage）工艺技术。Virage Logic公司和中芯国际从最初的130纳米工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP，涵盖的工艺广泛还包含90纳米以及65纳米。根据协议条款，系统级芯片（SoC）设计人员将能够使用Virage Logic开发的，基于中芯国际40纳米低漏电工艺的SiWare?存储器编译器，SiWare?逻辑库， SiPro? MIPI硅知识产权(IP)和Intelli? DDR IP。除此之外这方面的一个新协议的关键将提供中芯国际Virage Logic先进的STAR?记忆系统和STAR?量率加速器工具，以加速中芯国际关于40纳米低漏电工艺记忆的技术开发，测试以及产量的提升。
“作为中国首屈一指的代工厂，我们与Virage Logic公司拓展合作伙伴关系将使中芯国际能够提供更多业界领先的40纳米低漏电工艺的半导体IP，这不仅能满足来自中国本地的系统级芯片开发人员的需要，亦将助益我们开发全球半导体市场，”中芯国际资深副总裁兼首席商务官季克非表示。“中芯国际正采取积极措施提升客户更先进的技术。我们之前已经有客户正积极利用中芯国际的65纳米低漏电工艺及Virage Logic公司相关IP进行芯片项目的开发。与Virage Logic的合作关系可提供我们的客户将来迁移到40纳米的一个相对容易的途径。因应中芯国际市场营销的成长，我们期待着与Virage Logic长久的合作以满足日益增长的市场需求。”
“我们很高兴与中芯国际扩大合作伙伴关系从最初的130纳米工艺到现在的40纳米低漏电工艺。Virage Logic开发的业界领先的IP产品将能够提供客户更多的选择使中芯国际能成为客户首选的代工厂，” Virage Logic公司市场和销售执行副总裁Brani Buric表示。“ 这次联合协议是Virage Logic公司透过业界领先的晶圆代工厂来拓展公司业务策略的延续，同时也更巩固了中芯国际对其客户提供完整IP解决方案的承诺。”
关于Virage Logic
Virage Logic是一家为复杂电路设计提供半导体硅知识产权（IP）的领先供应商。该公司拥有高度差异化的产品组合，包括处理器解决方案、接口IP解决方案、嵌入式SRAM和NVM、嵌入式测试和良率优化解决方案、逻辑库及存储器开发软件。Virage Logic是备受半导体产业信赖的IP合作伙伴，有超过400家晶圆代工厂、IDM和无厂IC客户采用其方案以达到更高性能、更低功耗、更高密度、更优化良率，缩短客户的产品上市时间以及量产时间。欲得知更多信息，请浏览http://www.viragelogic.com。
Virage Logic媒体联络:
Sabina Burns
Virage Logic Corporation
510-743-8115
sabina.burns@viragelogic.com
关于中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981），是世界领先的集成电路芯片代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到45/40纳米芯片代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，在上海建有一座300mm 芯片厂和三座200mm 芯片厂。在北京建有两座300mm 芯片厂,在天津建有一座200mm 芯片厂，在深圳有一座200mm 芯片厂在兴建中，在成都拥有一座封装测试厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯代成都成芯半导体制造有限公司经营管理一座200mm 芯片厂，也代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座300mm 芯片厂。详细信息请参考中芯国际网站 http://www.smics.com
安全港声明（根据1995私人有价证券诉讼改革法案）
本次新闻发布可能载有（除历史资料外）依据1995美国私人有价证券诉讼改革法案的“安全港”条文所界定的「前瞻性陈述」。该等前瞻性陈述乃根据中芯对未来事件的现行假设、期望及预测而作出。中芯使用「相信」、「预期」、「打算」、「估计」、「期望」、「预测」或类似的用语来标识前瞻性陈述，尽管并非所有前瞻性声明都包含这些用语。这些前瞻性声明涉及可能导致中芯实际表现、财务状况和经营业绩与这些前瞻性声明所表明的意见产生重大差异的已知和未知的重大风险、不确定因素和其他因素，其中包括当前全球金融危机的相关风险、未决诉讼的颁令或判决，和终端市场的财政稳定。
投资者应考虑中芯呈交予美国证券交易委员会（「证交会」）的文件资料 ，包括其于二零一零年六月二十九日以20-F表格形式呈交给证交会的年报，特别是在「风险因素」和 「管理层对财务状况和经营业绩的讨论与分析」部分，并中芯不时向证交会(包括以6-K表格形式)，或联交所呈交的其他文件。其它未知或不可预测的因素也可能对中芯的未来结果，业绩或成就产生重大不利影响。鉴于这些风险，不确定性，假设及因素，本次新闻发布中讨论的前瞻性事件可能不会发生。请阁下审慎不要过分依赖这些前瞻性声明，因其只于声明当日有效，如果没有标明声明的日期，就截至本新闻发布之日。除法律有所规定以外，中芯概不负责因新资料、未来事件或其他原因引起的任何情况，亦不拟，更新任何前瞻性陈述。
中芯国际媒体联络：
林学恒
中芯国际公关处
电话：+86 21 38610000-12349
邮件：Peter_LHH@smics.com
缪为夷
中芯国际公关处
电话：+8621 38610000-10088
邮件：Angela_Miao@smics.com
伙伴关系将为中芯国际更多的制作工艺提供具高度差异的系统级芯片IP
[美国加利福尼亚州弗里蒙特和中国上海] –2010年7月22日–备受半导体产业信赖的IP供应商Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL)和中国最先进的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司（中芯国际，纽约证券交易所交易代码：SMI，香港联交所交易代码：0981.HK）今天宣布其长期合作伙伴关系扩展到40纳米（nanometer）的低漏电（low-leakage）工艺技术。Virage Logic公司和中芯国际从最初的130纳米工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP，涵盖的工艺广泛还包含90纳米以及65纳米。根据协议条款，系统级芯片（SoC）设计人员将能够使用Virage Logic开发的，基于中芯国际40纳米低漏电工艺的SiWare?存储器编译器，SiWare?逻辑库， SiPro? MIPI硅知识产权(IP)和Intelli? DDR IP。除此之外这方面的一个新协议的关键将提供中芯国际Virage Logic先进的STAR?记忆系统和STAR?量率加速器工具，以加速中芯国际关于40纳米低漏电工艺记忆的技术开发，测试以及产量的提升。
“作为中国首屈一指的代工厂，我们与Virage Logic公司拓展合作伙伴关系将使中芯国际能够提供更多业界领先的40纳米低漏电工艺的半导体IP，这不仅能满足来自中国本地的系统级芯片开发人员的需要，亦将助益我们开发全球半导体市场，”中芯国际资深副总裁兼首席商务官季克非表示。“中芯国际正采取积极措施提升客户更先进的技术。我们之前已经有客户正积极利用中芯国际的65纳米低漏电工艺及Virage Logic公司相关IP进行芯片项目的开发。与Virage Logic的合作关系可提供我们的客户将来迁移到40纳米的一个相对容易的途径。因应中芯国际市场营销的成长，我们期待着与Virage Logic长久的合作以满足日益增长的市场需求。”
“我们很高兴与中芯国际扩大合作伙伴关系从最初的130纳米工艺到现在的40纳米低漏电工艺。Virage Logic开发的业界领先的IP产品将能够提供客户更多的选择使中芯国际能成为客户首选的代工厂，” Virage Logic公司市场和销售执行副总裁Brani Buric表示。“ 这次联合协议是Virage Logic公司透过业界领先的晶圆代工厂来拓展公司业务策略的延续，同时也更巩固了中芯国际对其客户提供完整IP解决方案的承诺。”
关于Virage Logic
Virage Logic是一家为复杂电路设计提供半导体硅知识产权（IP）的领先供应商。该公司拥有高度差异化的产品组合，包括处理器解决方案、接口IP解决方案、嵌入式SRAM和NVM、嵌入式测试和良率优化解决方案、逻辑库及存储器开发软件。Virage Logic是备受半导体产业信赖的IP合作伙伴，有超过400家晶圆代工厂、IDM和无厂IC客户采用其方案以达到更高性能、更低功耗、更高密度、更优化良率，缩短客户的产品上市时间以及量产时间。欲得知更多信息，请浏览http://www.viragelogic.com。
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Sabina Burns
Virage Logic Corporation
510-743-8115
sabina.burns@viragelogic.com
关于中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981），是世界领先的集成电路芯片代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到45/40纳米芯片代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，在上海建有一座300mm 芯片厂和三座200mm 芯片厂。在北京建有两座300mm 芯片厂,在天津建有一座200mm 芯片厂，在深圳有一座200mm 芯片厂在兴建中，在成都拥有一座封装测试厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯代成都成芯半导体制造有限公司经营管理一座200mm 芯片厂，也代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座300mm 芯片厂。详细信息请参考中芯国际网站 http://www.smics.com
安全港声明（根据1995私人有价证券诉讼改革法案）
本次新闻发布可能载有（除历史资料外）依据1995美国私人有价证券诉讼改革法案的“安全港”条文所界定的「前瞻性陈述」。该等前瞻性陈述乃根据中芯对未来事件的现行假设、期望及预测而作出。中芯使用「相信」、「预期」、「打算」、「估计」、「期望」、「预测」或类似的用语来标识前瞻性陈述，尽管并非所有前瞻性声明都包含这些用语。这些前瞻性声明涉及可能导致中芯实际表现、财务状况和经营业绩与这些前瞻性声明所表明的意见产生重大差异的已知和未知的重大风险、不确定因素和其他因素，其中包括当前全球金融危机的相关风险、未决诉讼的颁令或判决，和终端市场的财政稳定。
投资者应考虑中芯呈交予美国证券交易委员会（「证交会」）的文件资料 ，包括其于二零一零年六月二十九日以20-F表格形式呈交给证交会的年报，特别是在「风险因素」和 「管理层对财务状况和经营业绩的讨论与分析」部分，并中芯不时向证交会(包括以6-K表格形式)，或联交所呈交的其他文件。其它未知或不可预测的因素也可能对中芯的未来结果，业绩或成就产生重大不利影响。鉴于这些风险，不确定性，假设及因素，本次新闻发布中讨论的前瞻性事件可能不会发生。请阁下审慎不要过分依赖这些前瞻性声明，因其只于声明当日有效，如果没有标明声明的日期，就截至本新闻发布之日。除法律有所规定以外，中芯概不负责因新资料、未来事件或其他原因引起的任何情况，亦不拟，更新任何前瞻性陈述。
中芯国际媒体联络：
林学恒
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电话：+86 21 38610000-12349
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