中芯新聞

芯原和中芯國際共同宣佈0.13微米低漏電半導體標準設計平臺正式發佈

2006年09月06日

 
上海  [2006-09-06]

[中國上海,2006年9月6日] 芯原股份有限公司(芯原,VeriSilicon),世界領先的ASIC設計代工廠商、半導體庫和半導體IP供應商,與中芯國際積體電路製造(上海)有限公司(中芯國際,SMIC),國內最先進的半導體晶片代工廠之一,今天正式發佈針對中芯國際的0.13微米低漏電CMOS工藝的半導體標準設計平臺。這套平臺包括記憶體編譯器有單口和雙口靜態隨機記憶體(Single Port/Dual Port SRAM Compiler),擴散可編程唯讀記憶體(Diffusion ROM Compiler),雙口寄存器組(Two-port Register File Compiler), 標準單元庫(Standard Cell Library)和輸入/輸出單元庫(I/O Cell Library)。
該標準設計平臺是針對低漏電、低功耗的要求為中芯國際的0.13微米LL CMOS工藝量身定制的,通過了中芯國際流片驗證並支援業內主流EDA工具,包括Cadence、Magma、Mentor Graphics及Synopsys。
芯原的董事長、總裁兼首席執行官戴偉民博士表示:“已有幾百家國內外用戶使用了芯原的標準設計平臺並用於他們的設計,許多複雜的、百萬門級的系統級晶片已取得了一次投片成功並進入量產。我們針對中芯國際0.13微米LL工藝開發了低漏電、低功耗技術並用於該標準設計平臺中,可顯著降低晶片的功耗,對手持設備等領域中採用的晶片意義重大。”
中芯國際的總裁兼首席執行長張汝京博士表示:“我們感謝芯原作為中芯國際的戰略夥伴長期以來對我們先進工藝以及國內外客戶的大力支持。隨著越來越快的工藝技術的發展,中芯國際將繼續和芯原密切合作,開發更先進的產品。”
關於芯原
芯原股份有限公司是領先的世界級ASIC設計代工供應商,為全球客戶提供半導體IP、設計和一站式製造服務,具有多家晶圓代工廠外包代工能力,工藝技術下至90納米。芯原已完成了多個複雜的、百萬門SoC系統級晶片,在亞太和中國領先的晶圓代工廠中均是一次投片成功並實現量產。芯原在美國,中國,臺灣,日本,法國和韓國均設有運營中心,全世界已有超過500家客戶獲得授權使用芯原的IP和標準設計平臺。2005年,芯原股份有限公司排名德勤中國高科技、高成長50強第三,德勤亞太地區高科技、高成長500強第六。此外還獲得了“Red herring 亞洲尚未上市企業100強企業”稱號,並入選EE Times全球60家最具潛力半導體初創公司。瞭解更多資訊請訪問:www.verisilicon.com
關於中芯國際
中芯國際積體電路製造有限公司 (“SMIC”,紐約證交所代碼: SMI,香港交易所代碼: 0981.HK) ,總部位於中國上海,是世界領先的積體電路代工廠之一。主要向世界各地的客戶提供積體電路(IC)產品,包括從0.35微米至 90納米以及更精細生產技術。自2000年成立,中芯國際已經在上海和天津擁有四條8 英寸矽圓片生產線,並已投入量產。2005年第一季度,中芯國際(北京)的12英寸生產線--中國國內第一條12英寸矽圓片生產線,已開始商業生產運行。中芯國際在美國、歐洲和日本設有客戶服務及市場行銷機構,並在香港設有代表處。如需更多資訊,敬請訪問公司網站 http://www.smics.com。”
就1995年私人有價證券訴訟改革法案作出的「安全港」提示聲明
本新聞發報之內容, 如“中芯國際將繼續和芯原密切合作,開發更先進的產品。”“可能載有前瞻性陳述之字眼。(除歷史資料外)或含有依據U.S. Securities Act 1933 (已修訂) 第27A條文及U.S. Securities Exchange Act 1934 (已修訂) 第21E條文所界定的「前瞻性陳述」。該等前瞻性陳述存在重大已知及未知風險、不確定性,以及其他可能導致中心實際業績、財政狀況或經營結果與前瞻性陳述所載資料存在重大差異的因素。有關該等風險、不確定性,以及其他因素之進一步資料已包括在中芯於二零零五年六月二十八日提交與美國證券交易所之20-F年報及其它中芯需不時提交與美國證券交易所或香港聯合交易所有限公司之檔內。
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SMIC:
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