中芯新聞

SAIFUN和中芯國際採用中芯先進工藝技術合作生產8GB資料快閃記憶體

2006年11月23日

 
以色列那塔亞  [2006-11-23]

世界領先的積體電路代工廠中芯國際採用SAIFUN嵌入式NROM技術和設計生產先進工藝8GB快閃記憶體

那塔亞,以色列,2006年11月23日-中芯國際積體電路製造有限公司(紐約證券交易所: SMI,香港聯合交易所:0981)世界領先的積體電路代工廠之一和SAIFUN半導體,著名的非揮發性記憶體(NVM)技術提供商今日共同宣佈將採用中芯先進工藝技術合作生產8GB資料快閃記憶體.這一基於SUNFUN嵌入式NROM技術和設計而成的獨特產品,將有望於2008年進入市場.

SAIFUN嵌入式NROM每基本存儲單元四位元元技術突破現有的非揮發性記憶體技術,比常規記憶體容量增加一倍,結構卻更為簡單,從而需要更少的製造步驟,降低了生產成本。採用中芯先進工藝的8GB資料快閃記憶體的發展體現了嵌入式NROM的優勢,使最具成本效益的快閃記憶體製造得以實現。它將使中芯憑藉非常可靠和高性能的產品進入極具挑戰的快閃記憶體市場。

中芯旨在提供一個全面快閃記憶體產品,從而進軍中國乃至全球新興電子消費市場。其現已基於SAIFUN嵌入式NROM每基本存儲單元二位元元技術產出第一批2GB NAND快閃記憶體產品的工程樣本,計畫於2006年底開始量產。

“我們很高興能進一步與中芯國際合作,使最先進的快閃記憶體產品推向市場”,SAIFUN半導體公司董事長兼首席執行官Kobi Rozengarten 先生表示,“我們相信,中芯的創新與努力,結合SAIFUN的獨特NROM技術,將使兩家公司成為利潤可觀的資料市場的佼佼者。”

“我們很高興能與SAIFUN進一步拓展我們的夥伴關係,進入更先進的快閃記憶體技術. 這再次證明瞭我們提升快閃記憶體產品的共同承諾,”中芯國際總裁兼首席執行官張汝京博士表示,“我們相信,憑藉SAIFUN的前沿技術開發和中芯可靠先進的製造能力,將進一步加強我們在快閃記憶體市場的地位。”

關於中芯國際
中芯國際 (紐約證券交易所: SMI,香港聯合交易所:0981)總部位於上海,是世界領先的積體電路晶片代工公司之一,也是中國內地最大及最先進的晶片代工公司。向全世界客戶提供0.35微米到90納米及更先進工藝的晶片製造服務。公司在上海營運三座8英寸晶片廠,在天津營運一座8英寸晶片廠,並在北京營運一座12英寸晶片廠,此為中國內地第一座正式營運之12英寸晶片廠。此外,中芯國際還在美國、義大利、日本提供客戶服務和設立銷售辦事處,同時在香港設立了代表處。敬請訪問公司網站:http://www.smics.com

關於SAIFUN
SAIFUN是一家為非揮發性記憶體技術(NVM)市場提供智慧產權(IP)解決方案的供應商。該公司獨創的Saifun NROM®技術 支援半導體製造者付運其具有高性能和可靠的產品而每百萬單位只需相對較低的成本,隨著更大的產能儲備,為所有非揮發性記憶體技術(NVM)的應用而使用單一流程。SAIFUN向半導體製造者授權其智慧產權(IP)使用這一技術來發展並製造各類獨一的內植非揮發性記憶體技術(NVM)產品。其中包括通訊、消費電子、網路和汽車類產品中使用的快閃記憶體。擁有SAIFUN特許的廠商包括英飛淩,Macronix,索尼公司,Spansion和Tower半導體。

就1995年私人有價證券訴訟改革法案作出的「安全港」提示聲明
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