上海  [2004-07-28]

(SUNNYVALE, 加利福尼亞和上海，中國―2004年7月28日)全球領先的高密度嵌入式記憶體存供應商MOSYS公司（納斯達克：MOSY）與全球領先的晶片代工廠之一,中芯國際積體電路製造有限公司(紐約證券交易所：SMI，香港聯合證券交易所：981)，今日共同宣佈MOSYS公司的1T-SRAM-R技術?Z含TRANSPARENT ERROR CORRECTION ?{成功通過中芯國際0.13微米制程驗證。此次驗證成功,使中芯國際能為其客戶提供另一種優質的高密度記憶體,從而擴展了兩公司之間現有的合作。

“MOSYS的0.13微米高密度1T-SRAM-R記憶體通過中芯國際的矽驗證，這可以給我們的客戶提供通過中芯國際0.18及0.13微米邏輯制程驗證的特別記憶體技術。”中芯國際市場銷售部副總宋建邁說。“通過TEL 1T-SRAM-R 不僅可以使我們的客戶節省額外的產品開支，還能顯著地減少設計風險並且使用MOSYS的獨特記憶體可以幫助客戶提高複雜的SOC設計能力。”

“通過內置的透明糾錯，在增加產量，減少出錯率(SER)和提高可靠性時，我們的1T-SRAM-R 嵌入式記憶體技術還展示了其獨特的可伸縮性和可攜性，”MOSYS的總裁兼首席執行長FU-CHIEH HSU說。“MOSYS的1T-SRAM-R 記憶體以高的良率通過了中芯國際矽驗證的邏輯制程， 為他們的客戶提供高密度的0.13微米記憶體技術，還能通過消除鐳射修補?^程使得生產流程簡化。”

中芯國際概述：
中芯國際為全球領先的半導體製造商之一，提供制程技術從0.35微米到0.13微米的積體電路生產服務。中芯國際於2000年4月在開曼群島註冊成立。目前，公司在上海的張江高科技園區經營三座8?季Г倉圃斐В?並在中國天津經營一座8?季Г倉圃斐А４送猓?公司現正在中國北京興建12?季Г倉圃斐А?2003年5月，半導體業界的權威雜誌《半導體國際》(SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL) 評選出兩家“2003年最佳半導體廠”，中芯國際一廠就是獲得這項榮譽的半導體廠之一。中芯國際不僅提供積體電路製造服務，還為客戶提供其他的全方位服務，包括設計服務，光掩膜製造，和晶圓測試服務等。如需更多資訊，請流覽網站: WWW.SMICS.COM。

MOSYS公司概述：
成立於1991年，MOSYS公司（納斯達克：MOSY）為半導體公司開發，轉讓，銷售先進的記憶體技術。 MOSYS獲得專利的1T-SRAM 技術是高密度，低功耗，高速度與低成本的結合，這是其他現有的記憶體技術所無可比擬的。與傳統的4 或6 電晶體靜態記憶體相比，1T-SRAM 記憶體裏使用單一電晶體位元單元使該技術在同樣的標準邏輯生產過程中具備更高的密度。1T-SRAM 技術也提供與傳統靜態記憶體相關的,適於隨機地存取週期的刷新介面和高性能。另外， 與傳統的靜態記憶體技術相比，該技術能降低到四分之一的功耗， 在SOC系統中,它能使嵌入式大記憶體設計更為理想。MOSYS已經運出超過5000萬片帶1T-SRAM嵌入式記憶體的晶片， 在廣泛的矽制程和應用方面展示了卓越的技術生產能力。MOSYS總部位於1020 STEWART DRIVE，SUNNYVALE，CALIFORNIA 94085。 如需更多資訊，請流覽MOSYS網站HTTP://WWW.MOSYS.COM。

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