上海 [2010-05-14]
通過晶片驗證的DesignWare PHY IP降低了風險，易於集成到系統晶片中
[美國加利福尼亞州山景城和中國上海]——2010年5月14日——全球半導體設計製造軟體和知識產權領先企業新思科技有限公司（納斯達克交易代碼：SNPS）和全球領先的半導體製造商中芯國際積體電路有限公司（中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯交所交易代碼：0981.HK）今天宣佈開始提供用於中芯國際65納米（nanometer）低漏電（Low-Leakage)工藝技術的新思科技經矽驗證的和獲得USB標誌認證的DesignWare? USB 2.0 nanoPHY知識產權（IP）。作為一家提供包括控制器、PHY和驗證IP等USB2.0介面完整IP解決方案的領先供應商，新思科技繼續致力於通過提供高品質IP助力設計人員降低集成風險，這些IP具備了驗證過的互操作性，並與標準規範設計相容。
DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專為各種高市場容量移動和消費電子應用而設計的，這些應用的關鍵要求包括要實現面積最小、低動態和洩漏功耗等特性。此外，DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP內建了調整電路，可支援快速的、晶片加工後的調整，以應對意外的晶片/電路板寄生或工藝變化，而無需用戶對現有設計進行修改。這一特性使得設計人員能夠提高良品率，並最大限度地降低昂貴的晶片改版成本。
“新思科技經過矽驗證的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP與中芯國際的低漏電65nm工藝技術相互融合，使得我們雙方的客戶能夠容易地將先進功能集成到可幫助他們滿足低功耗要求、實現關鍵上市時間目標和快速投入量產的工藝中，”中芯國際高級副總裁兼首席業務官季克非表示，“近來，客戶充分利用中芯國際65納米LL工藝和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在矽晶片領域大獲成功，這讓我們信心倍增。我們將加強與新思科技的戰略和協同關係，利用我們業內領先的集成、功率效率和性價比，為我們的客戶提供明顯領先的優勢。我們期待著與新思科技一如既往地開展持續合作，並向更先進的工藝制程邁進。”
“隨著新思科技面向SMIC 65 nm LL 工藝技術的高品質DesignWare USB2.0 nanoPHY的上市，我們將繼續向設計人員提供他們滿足當今製造工藝要求所需的知識產權，”新思科技解決方案集團行銷副總裁John Koeter表示，“我們通過與中芯國際合作，在其65 nm LL工藝中對我們的USB 2.0 nanoPHY IP進行矽驗證。這種做法為我們的客戶提供了成熟的、經過認證的IP解決方案，使他們能夠在集成DesignWare IP的過程中降低所面臨的風險，並加快產品的上市時間。”
關於DesignWare IP
新思科技有限公司是用於系統級晶片（SoC）設計的高品質、經生產驗證的介面和類比IP解決方案的領先提供商。Synopsys廣泛的產品系列提供了完整的連接IP解決方案，包括控制器、PHY和驗證IP，適用於眾多已廣泛應用的協定，如USB、PCI Express、DDR、SATAHDMI、MIPI和乙太網等，3G DigRF, CSI-2 and D-PHY。模組IP系列產品包括模數轉換器、數模轉換器、音頻編解碼器、視頻類比前端、觸摸屏控制器和其他許多產品。此外，Synopsys還提供用於構建虛擬平臺的SystemC事務級模型，可用於軟體的快速開發以及晶片生產前的開發工作。在強有力的IP開發方法支持下，以及憑藉在品質和全面技術支持方面的大力投入，新思科技有限公司讓設計人員能夠加快產品上市週期和減少集成風險。如需有關DesignWare IP的更多資訊，敬請訪問：http://www.synopsys.com/designware。同時也可在Twitter上瞭解我們的最新消息：http://twitter.com/designware_ip。
關於新思科技有限公司
新思科技有限公司（Synopsys, Nasdaq：SNPS）是全球電子設計自動化（EDA）行業的領導者，為全球電子市場提供用於半導體設計和製造的軟體、知識產權（IP）和服務。Synopsys的全面解決方案將其在實施、驗證、IP、製造和現場可編程閘陣列（FPGA）等方面的產品組合集於一體，幫助設計師和製造商解決了當前面對的各種關鍵挑戰，如功率消耗、良率管理、軟體到晶片（software-to-silicon）驗證以及實現時間。這些技術領先的解決方案幫助Synopsys的客戶建立了一個競爭優勢，既可以將最好的產品快速地帶入市場，同時降低成本和進度風險。Synopsys的總部位於加利福尼亞州的Mountain View，並且在北美、歐洲、日本、亞洲和印度擁有超過65家辦事處。如需獲得更多資訊，請登陸http://www.synopsys.com。Synopsys和DesignWare均為Synopsys公司的注冊商標。本新聞稿所涉及的所有其他商標或注冊商標的知識產權均歸屬其相應所有者。
新思科技有限公司媒體聯絡:
Sheryl Gulizia
新思科技公司
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sgulizia@synopsys.com
Lisa Gillette-Martin
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650-968-8900 轉115
lgmartin@mcapr.com
關於中芯國際
中芯國際積體電路製造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯合交易所股票代碼：981），是世界領先的積體電路晶片代工企業之一，也是中國內地規模最大、技術最先進的積體電路晶片代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米晶片代工與技術服務。中芯國際總部位於上海，在上海建有一座300mm 晶片廠和三座200mm 晶片廠。在北京建有兩座300mm 晶片廠,在天津建有一座200mm 晶片廠，在深圳有一座200mm 晶片廠在興建中，在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務和設立行銷辦事處，同時在香港設立了代表處。此外，中芯代成都成芯半導體製造有限公司經營管理一座200mm 晶片廠，也代武漢新芯積體電路製造有限公司經營管理一座300mm 晶片廠。詳細資訊請參考中芯國際網站 http://www.smics.com
安全港聲明
（根據1995私人有價證券訴訟改革法案）
本次新聞發佈可能載有（除歷史資料外）依據1995美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的「前瞻性陳述」。該等前瞻性陳述乃根據中芯對未來事件的現行假設、期望及預測而作出。中芯使用「相信」、「預期」、「打算」、「估計」、「期望」、「預測」或類似的用語來標識前瞻性陳述，儘管並非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導致中芯實際表現、財務狀況和經營業績與這些前瞻性聲明所表明的意見產生重大差異的已知和未知的重大風險、不確定因素和其他因素，其中包括當前全球金融危機的相關風險、未決訴訟的頒令或判決，和終端市場的財政穩定。
投資者應考慮中芯呈交予美國證券交易委員會（「證交會」）的檔資料 ，包括其於二零零九年六月二十二日以20-F表格形式呈交給證交會的年報，特別是在「風險因素」和 「管理層對財務狀況和經營業績的討論與分析」部分，並中芯不時向證交會(包括以6-K表格形式)，或聯交所呈交的其他檔。其他未知或不可預測的因素也可能對中芯的未來結果，業績或成就產生重大不利影響。鑒於這些風險，不確定性，假設及因素，本次新聞發佈中討論的前瞻性事件可能不會發生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明，因其只於聲明當日有效，如果沒有標明聲明的日期，就截至本新聞發佈之日。除法律有所規定以外，中芯概不負責因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況，亦不擬，更新任何前瞻性陳述。
中芯國際媒體聯絡：
林學恒
中芯國際公關處
電話：+86 21 38610000-12349
郵件：Peter_LHH@smics.com
繆為夷
中芯國際公關處
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郵件：Angela_Miao@smics.com
通過晶片驗證的DesignWare PHY IP降低了風險，易於集成到系統晶片中
[美國加利福尼亞州山景城和中國上海]——2010年5月14日——全球半導體設計製造軟體和知識產權領先企業新思科技有限公司（納斯達克交易代碼：SNPS）和全球領先的半導體製造商中芯國際積體電路有限公司（中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯交所交易代碼：0981.HK）今天宣佈開始提供用於中芯國際65納米（nanometer）低漏電（Low-Leakage)工藝技術的新思科技經矽驗證的和獲得USB標誌認證的DesignWare? USB 2.0 nanoPHY知識產權（IP）。作為一家提供包括控制器、PHY和驗證IP等USB2.0介面完整IP解決方案的領先供應商，新思科技繼續致力於通過提供高品質IP助力設計人員降低集成風險，這些IP具備了驗證過的互操作性，並與標準規範設計相容。
DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專為各種高市場容量移動和消費電子應用而設計的，這些應用的關鍵要求包括要實現面積最小、低動態和洩漏功耗等特性。此外，DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP內建了調整電路，可支援快速的、晶片加工後的調整，以應對意外的晶片/電路板寄生或工藝變化，而無需用戶對現有設計進行修改。這一特性使得設計人員能夠提高良品率，並最大限度地降低昂貴的晶片改版成本。
“新思科技經過矽驗證的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP與中芯國際的低漏電65nm工藝技術相互融合，使得我們雙方的客戶能夠容易地將先進功能集成到可幫助他們滿足低功耗要求、實現關鍵上市時間目標和快速投入量產的工藝中，”中芯國際高級副總裁兼首席業務官季克非表示，“近來，客戶充分利用中芯國際65納米LL工藝和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在矽晶片領域大獲成功，這讓我們信心倍增。我們將加強與新思科技的戰略和協同關係，利用我們業內領先的集成、功率效率和性價比，為我們的客戶提供明顯領先的優勢。我們期待著與新思科技一如既往地開展持續合作，並向更先進的工藝制程邁進。”
“隨著新思科技面向SMIC 65 nm LL 工藝技術的高品質DesignWare USB2.0 nanoPHY的上市，我們將繼續向設計人員提供他們滿足當今製造工藝要求所需的知識產權，”新思科技解決方案集團行銷副總裁John Koeter表示，“我們通過與中芯國際合作，在其65 nm LL工藝中對我們的USB 2.0 nanoPHY IP進行矽驗證。這種做法為我們的客戶提供了成熟的、經過認證的IP解決方案，使他們能夠在集成DesignWare IP的過程中降低所面臨的風險，並加快產品的上市時間。”
關於DesignWare IP
新思科技有限公司是用於系統級晶片（SoC）設計的高品質、經生產驗證的介面和類比IP解決方案的領先提供商。Synopsys廣泛的產品系列提供了完整的連接IP解決方案，包括控制器、PHY和驗證IP，適用於眾多已廣泛應用的協定，如USB、PCI Express、DDR、SATAHDMI、MIPI和乙太網等，3G DigRF, CSI-2 and D-PHY。模組IP系列產品包括模數轉換器、數模轉換器、音頻編解碼器、視頻類比前端、觸摸屏控制器和其他許多產品。此外，Synopsys還提供用於構建虛擬平臺的SystemC事務級模型，可用於軟體的快速開發以及晶片生產前的開發工作。在強有力的IP開發方法支持下，以及憑藉在品質和全面技術支持方面的大力投入，新思科技有限公司讓設計人員能夠加快產品上市週期和減少集成風險。如需有關DesignWare IP的更多資訊，敬請訪問：http://www.synopsys.com/designware。同時也可在Twitter上瞭解我們的最新消息：http://twitter.com/designware_ip。
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新思科技有限公司（Synopsys, Nasdaq：SNPS）是全球電子設計自動化（EDA）行業的領導者，為全球電子市場提供用於半導體設計和製造的軟體、知識產權（IP）和服務。Synopsys的全面解決方案將其在實施、驗證、IP、製造和現場可編程閘陣列（FPGA）等方面的產品組合集於一體，幫助設計師和製造商解決了當前面對的各種關鍵挑戰，如功率消耗、良率管理、軟體到晶片（software-to-silicon）驗證以及實現時間。這些技術領先的解決方案幫助Synopsys的客戶建立了一個競爭優勢，既可以將最好的產品快速地帶入市場，同時降低成本和進度風險。Synopsys的總部位於加利福尼亞州的Mountain View，並且在北美、歐洲、日本、亞洲和印度擁有超過65家辦事處。如需獲得更多資訊，請登陸http://www.synopsys.com。Synopsys和DesignWare均為Synopsys公司的注冊商標。本新聞稿所涉及的所有其他商標或注冊商標的知識產權均歸屬其相應所有者。
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中芯國際積體電路製造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯合交易所股票代碼：981），是世界領先的積體電路晶片代工企業之一，也是中國內地規模最大、技術最先進的積體電路晶片代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米晶片代工與技術服務。中芯國際總部位於上海，在上海建有一座300mm 晶片廠和三座200mm 晶片廠。在北京建有兩座300mm 晶片廠,在天津建有一座200mm 晶片廠，在深圳有一座200mm 晶片廠在興建中，在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務和設立行銷辦事處，同時在香港設立了代表處。此外，中芯代成都成芯半導體製造有限公司經營管理一座200mm 晶片廠，也代武漢新芯積體電路製造有限公司經營管理一座300mm 晶片廠。詳細資訊請參考中芯國際網站 http://www.smics.com
安全港聲明
（根據1995私人有價證券訴訟改革法案）
本次新聞發佈可能載有（除歷史資料外）依據1995美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的「前瞻性陳述」。該等前瞻性陳述乃根據中芯對未來事件的現行假設、期望及預測而作出。中芯使用「相信」、「預期」、「打算」、「估計」、「期望」、「預測」或類似的用語來標識前瞻性陳述，儘管並非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導致中芯實際表現、財務狀況和經營業績與這些前瞻性聲明所表明的意見產生重大差異的已知和未知的重大風險、不確定因素和其他因素，其中包括當前全球金融危機的相關風險、未決訴訟的頒令或判決，和終端市場的財政穩定。
投資者應考慮中芯呈交予美國證券交易委員會（「證交會」）的檔資料 ，包括其於二零零九年六月二十二日以20-F表格形式呈交給證交會的年報，特別是在「風險因素」和 「管理層對財務狀況和經營業績的討論與分析」部分，並中芯不時向證交會(包括以6-K表格形式)，或聯交所呈交的其他檔。其他未知或不可預測的因素也可能對中芯的未來結果，業績或成就產生重大不利影響。鑒於這些風險，不確定性，假設及因素，本次新聞發佈中討論的前瞻性事件可能不會發生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明，因其只於聲明當日有效，如果沒有標明聲明的日期，就截至本新聞發佈之日。除法律有所規定以外，中芯概不負責因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況，亦不擬，更新任何前瞻性陳述。
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