eNVM

嵌入式非揮發性記憶體平台助力智能卡和微處理器應用

技術簡介

中芯國際擁有公認的製造能力,可以提供具有成本競爭力的嵌入式非揮發性記憶體平臺,包括一次性可程式設計技術, 多次性可程式設計技術,嵌入式電可擦除唯讀記憶體技術和嵌入式快閃記憶體技術。技術節點覆蓋從0.35微米到40納米。這些嵌入式非揮發性存儲技術提供高性能,低功耗與卓越的耐久性和資料保存性能。

工藝組件選擇

Node/IP

0.35um

0.25um

0.18/0.162um

0.13um

0.11um

90nm

65/55nm

40nm

28nm

eFlash

 

 

 

D

 

 

 

 

eEEPROM

 

 

 

 

 

 

MTP

 

 

 

 

 

 

OTP

 

 

 

 

 

eFuse

 

 

 

 

 

 

 *D 開發中

應用產品

中芯國際提供了完整的嵌入式非揮發性存儲技術與廣泛IP支持,可應用於智能卡、微處理器和物聯網應用。這些工藝可提供客戶製造出具有成本效益,低功耗,高可靠性的產品和更具經濟效益的解決方案。

  • 智能卡

  • 微處理器

  • 物聯網