概述
45纳米
65纳米
90纳米
0.13微米
0.15微米
0.18微米
0.25微米
0.35微米
混合信号/射频电路
高电压技术
微显示技术
非易失性存储器





概述
 

在中芯,我们用成熟可靠的工艺技术实现日趋精细复杂的芯片设计,从而让产品在具备更高性能和更低功耗的同时,实现芯片尺寸的优化。

为了满足全球客户的不同需求,我们提供0.35微米到90纳米制程工艺设计和制造服务,包括逻辑电路、混合信号/CMOS射频电路、高压电路、系统级芯片、动态存储器、闪存存储器、EEPROM,影像感测器,以及硅上液晶微显示技术。*

我们利用高效率的制造能力、强调成本效益的原型技术以及全面性的高附加值服务,帮助客户在实现产品快速上市的同时降低成本。

* 中芯的制造过程与技术符合最高的业界标准;与一般的晶圆代工业界标准都兼容。中芯国际从未声明过它的制程是根据任何一家公司、或是与任何一家公司相仿、相符等。













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