0.18微米
	1.8V/16V
	单元尺寸为 2.88平方微米，FLOTOX 型单元
	读写耐久性超过50万次
	三井
	STI浅沟渠隔离技术
	钴硅化物制程
	数据保持能力通过了3个批次产品，在IP曾面上的150℃，1000小时的测试。
	附加模拟元件:
	Vractor (接头/ 氧化物)
	MiM,PiP 及堆叠电容器 (MiM/PiP/Oxide)
	Native Vt 元件
	高电阻多晶硅 (HRP) (1000 ohm/□)
	Schottky二极管
	2 种产品应用:
	EE+ROM (NOR-Type) 用于低成本及高效能之产品
	EE+OTP用于低成本及灵活性较大的ROM应用产品(如OTP取代ROM)

	0.35微米
	3.3V/16V
	双井
	区域性硅片氧化隔离
	钛硅化物制程
	3.3V/16V 和 5V/16V
	HVNMOS, HVPMOS 和 native HVNMOS 元件
	PiP 和 MiM 混合信号应用电容器
	芯片尺寸小于10平方微米，FLOTOX 型单元
	读写耐久性超过一百万次

中芯 0.18及0.35微米的 EEPROM 技术可应用于智能卡或 SIM 卡及嵌入式系统级(SOC)芯片等产品，存储容量从256b至32KB，为客户提供了灵活的解决方案。

大量的IP 智能模块已建立。 可查阅我们网站的设计服务专栏，或通过电子邮件与我们联络：Design_Services@smics.com.

中芯智能卡的生产技术的已通过一主要的IDM客户认证。 此外, 我们的光掩膜厂也成功的通过可生产中国电子身份证的认证。