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混合信号/射频电路 |
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特点:
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标准制程生产 |
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有源元件 |
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多种Vt电压的MOSFET器件 |
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深N-井技术 |
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垂直双极结晶体管 |
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无源元件 |
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高密度MiM电容器 (铝：0.18微米, Cu：0.13微米)，有不同的电容单元选择
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高因数（Q）品质的电感器和电感器模拟
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变抗器(N+ on N-井技术 和 P+/N-井技术连接)
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电阻器 (SAB & 高电阻多晶硅) |
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中芯完全支持 0.13 微米、 0.18 微米、 0.25 微米、 0.35 微米混合信号 /CMOS 射频电路技术。 0.13 微米的混合信号 /CMOS 射频电路技术目前正在研发中。
由于混合信号/CMOS射频电路技术建立在逻辑平台上，因此能够容易且有效地实现整合。透过高性能晶体管和优化调整后的整套无源元件，它将能被应用在射频领域。
我们提供 0.18 微米和 0.25 微米的多种电压元件，其中有 3.3V （ 0.13 微米、 0.18 微米、 0.25 微米）和 5V （ 0.18 微米、 0.25 微米、 0.35 微米）两种用于模拟设计的双门氧化元件。此外，我们也提供制程的选择，如隔离杂讯的深 - 井技术、高电阻多晶硅、 MiM 电容器和厚金 属电感器。
中芯备有详细的的特性报告: 如不相容分析和射频模型可供设计师参考。
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