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高电压技术 |
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特点:
| 0.30微米高电压特点: |
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3.3V 低漏电电路 |
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13.5V 高电压电路
（对称和非对称DDD HV CMOS） |
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高精密无源电路 （ PiP 电容器、高电阻多晶硅）
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| 0.16微米高电压特点: |
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1.8V 或 5.5V
低漏电电路
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32V 至 40V 高电压电路 （对称和非对称 DDD HV CMOS ）
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小巧及低漏电存储扩展卡(SRAM)
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高精密无源电路 （ MiM 电容器、高电阻多晶硅）
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中芯为设计师提供高电压技术，可应用于无线通信、消费性电子和计算机等领域。
我们的0.30微米高电压技术支持高达13.5V的应用，并可实现包含高电阻多晶硅和PiP电容器等混合信号组件在内的芯片设计。
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