概述
45纳米
65纳米
90纳米
0.13微米
0.15微米
0.18微米
0.25微米
0.35微米
混合信号/射频电路
高电压技术
微显示技术
非易失性存储器






0.25μm
 
特点:
1P5M(铝)制程
输入输出接口 :2.5V、3.3V或5V
浅沟隔离
混合信号:深 N-井技术,多种Vt MOSFET,高电阻多晶硅,MiM电容器,厚金属电感器

中芯的0.25微米技术能实现芯片的高性能和低功率,适用于高端图形处理器、微处理器、通讯及计算机数据处理芯片。 我们同时提供0.25微米逻辑电路和3.3V和5V 应用的混合信号/CMOS射频电路

0.25微米的单元库可通过我们单元库伙伴获得。而输入输出接口和智能模块的讯息,则可查阅我们网站的设计服务专栏,或通过电子邮件与我们联络 : Design_Services@smics.com.


  联系我们  |  网站地图  |  Legal Notice  |  沪ICP备020542 ©2005 SMIC; 最佳浏览效果: IE 5.5以上,分辨率1024X768