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0.18μm |
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特点：
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1P6M（铝）制程
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核心元件 ：标准制程(G)、或低漏电(LL) |
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输入输出接口 ：
3.3V 或 5V |
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混合信号 ： 深 N-井技术,多种Vt MOSFET，高电阻多晶硅，MiM电容器，厚金属电感器 |
中芯的0.18微米为消费性、通讯和计算机等多种产品应用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳选择。此外，它也在嵌入式存储器、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供灵活性的解决方案及模拟。
此工艺采用 1P6M （铝）制程，特点是每平方微米的多晶硅门电路集成度高达 100,000 门以及有 1.8V 、 3.3V 和 5V 三种不同电压，供客户选择。
嵌入式高密度存储器
为满足客户在SoC设计中对存储器的要求，中芯与正一科技（MoSys）一起为我们的客户提供0.18微米的1T静态存储器。此技术可实现与同制程6T静态存储器相似的性能及两倍于同制程DDR 动态存储器的性能, 并能提高常规6T静态存储器存储密度达100%。另外，若和传统的静态存储器技术相比较，它可以降低四倍功耗，因而成为SoC设计中最理想的嵌入式高密度存储器。
中芯国际在 0.18 微米技术节点上可提供低成本、经验证的智能卡、消费电子产品以及其他广泛的应用类产品。我们的 0.18 微米工艺技术包括逻辑、混合信号 / 射频、高压、电可擦除只读存储器以及一次可编程技术等。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。
0.18微米的单元库可通过我们单元库伙伴获得。而输入输出接口和智能模块的讯息，则可查阅我们网站的设计服务专栏，或通过电子邮件与我们联络 ：
Design_Services@smics.com.
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