概述
45纳米
65纳米
90纳米
0.13微米
0.15微米
0.18微米
0.25微米
0.35微米
混合信号/射频电路
高电压技术
微显示技术
非易失性存储器





0.15μm
 
特点:
1P7M(铝)制程
核心元件 :标准制程(G)、低电压(LV)或超低漏电(ULL)
输入输出接口 :2.5V或3.3V

中芯0.15微米的制程技术为客户降低成本。同时,和0.18微米制程技术相比,其性能将提高超过25%,芯片面积也缩小25%以上。

此工艺技术有7个金属层,多晶硅门电路宽度缩短至0.11微米。客户可以选择标准、低电压和超低漏电等三种制程、相应的1.2V或1.5V核心电压以及输入电压为2.5V 和3.3V的两种输入输出接口。

0.15微米的单元库可从我们单元库伙伴获得。而输入输出接口和智能模块的讯息,则可查阅我们网站的设计服务专栏,或通过电子邮件与我们联络 : Design_Services@smics.com.

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