|
|
 |
0.13μm |
| |
|
特点:
 |
1P8M，Cu 和 FSG 工艺 |
|
输入输出接口 ：2.5V或3.3V |
|
混合信号 ：深 N-井技术, 多种Vt MOSFET, 高电阻多晶硅，MiM 电容器，厚金属电感器 |
中芯的0.13微米制程采用全铜制程技术，从而在达到高性能设备的同时，实现成本的优化。
中芯的 0.13 微米技术工艺使用 8 层金属层宽度仅为 80 纳米的门电路，能够制作核心电压为 1.2V 以及输入 / 输出电压为 2.5V 的元件。我们的高速、低电压和低漏电制程产品已在广泛生产中。
和0.15微米器件的制程技术相比，我们的0.13微米工艺能使芯片面积缩小25%以上，性能提高约30%。与0.18微米制程技术比较，芯片面积更可缩小超过50%，而其性能也提高超过50%。
中芯已经开始0.13微米的多项目晶圆服务，目前客户的原型也获得不错的良率。
中芯国际的 0.13 微米混合信号 / 射频以及嵌入式存储器模组等基于 CMOS 技术的产品已步入待产阶段。
我们通过标准单元库供应伙伴，提供0.13微米的单元库和存储器编译器。 而输入输出接口和智能模块的讯息，则可查阅我们网站的设计服务专栏，或通过电子邮件与我们联络： Design_Services@smics.com.
|
|
|
