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SMIC Senior Vice President Xu TianShen: 14nm FinFET Patents Now in the Top 10 (Chinese Version)

24 Mar 2015

2015 年3 月24 日 來源:中國電子報

《推進綱要》對整體的技術發展提出了明確的目標,到2015 年,32/28nm 製造工藝實現規模量產,到 2020 年,16/14nm 製造工藝實現規模量產,到2030 年,積體電路產業鏈主要環節達到國際先進水準。對中芯國際來說,我們堅持先進工藝和特色工藝兩條腿走路。

去年年底我們成功製造 28nm 高通驍龍 410 處理器,目前我們著力於 28nm 的量產。我們是中國大陸首個能夠提供 28nm PS 和 HKMG 先進制程技術為海外及國內客戶提供完整的28nm 制程服務的純晶圓代工企業。中芯國際在28nm 方面能夠提供完整的服務,涵蓋技術研發、設計服務和 IP、光罩製造、晶圓製造、測試、凸塊加工,以及與OSAT 夥伴合作提供的後段服務。28 納米工藝能夠應用於移動計算、無線連接、電子家居以及雲計算市場。此外,我們同時也在先進的 14 納米制程上,持續進行開發和 FinFET 電晶體驗證。中芯國際在14 納米 Fin-FET 專利擁有數量已達全球十強,在中國處於領先地位。

除了先進工藝上的進階,隨著未來IoT 市場的興起,特色工藝的重要性也日漸凸顯。IoT 產品設計和制程模式在成熟工藝制程下將非常匹配中國國內企業。我們應對市場的策略是專注先進制程開發,同時在特色工藝上深耕細作,堅持兩條腿走路,確保在業界的競爭優勢。 我們在特色工藝上也有很多突破,包括 CIS-BSI(背照式 CMOS 圖像感測器)、55 納米eFlash(嵌入式快閃記憶體)、38 納米獨立 NAND 快閃記憶體、為 TDDIC(顯示驅動 IC)而開發的 MTE(成熟技術優化)95 納米以及MEMS-IMU(慣性測量裝置)制程技術等。

作為中國第一家12 英寸純晶圓代工廠商,中芯國際也在持續提升自身先進工藝能力並積極擴充12 英寸產能及一站式服務,2011 年底 12 英寸產能為2.9 萬片/月,預期到2015 年底產能將達6 萬片/月。