晶圆代工解决方案概览
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
IGBT是一种新型电力半导体器件的平台性器件,具有高输入阻抗,低导通压降、驱动电路简单,开关速度快,电流密度大等优点,可广泛应用于工业变频、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业。

中芯国际IGBT平台从2015年开始建立,着眼于最新一代场截止型(Field Stop)IGBT结构, 采用业界最先进及主流的背面加工工艺,包括Taiko背面减薄工艺,湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等。已完成整套深沟槽(Deep Trench)+薄片(Thin Wafer)+场截止(Field-Stop)技术工艺的自主研发,并相应推出600~1200等器件工艺,技术参数可达到业界领先水平。

平台特点:

  • 业界最新一代IGBT结构
  • 完整及业界主流的背面加工工艺
  • 性能表现优越



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